我正在尝试将数据存储在 STM32F411VET6 的闪存中。我希望即使在重新启动 MC 后内存也能存储并保留在那里。我看过this , this , this和 this示例,但我仍然不确定我是否正确地执行了此操作。我能够在内存中创建一个位置(我 checkin 了 map 文件),并将其用作我的分散文件:
LR_IROM1 0x08000000 0x00080000 { ; load region size_region
ER_IROM1 0x08000000 0x00060000 { ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
.ANY (+RO)
.ANY (+XO)
}
USER_CONFIG 0x08060000 0x0001FFFF {
userConfig.o (+RW)
}
RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000 { ; RW data
.ANY (+RW +ZI)
}
}
这适用于我的代码(改编自 this 示例):
__attribute__((__section__("USER_CONFIG"))) const char userValues[64];
void Write_Flash(uint32_t data[], uint8_t flashTypeProgram)
{
uint8_t addressGap;
HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_7, VOLTAGE_RANGE_3);
int ii = 0;
for (ii = 0; ii < 64 / pow(2, flashTypeProgram); ii++)
{
addressGap = pow(2, flashTypeProgram) * ii;
HAL_FLASH_Program(flashTypeProgram, userValues[0] + addressGap, data[ii]);
}
HAL_FLASH_Lock();
}
但是每当我构建代码时,我都会收到错误“没有部分与模式 userConfig.o 匹配”。
是否有什么我设置不正确的地方,或者为什么我在某处漏接电话?
最佳答案
在 Kamil Cuk 的帮助下我得到了解决方案这帮助我解决了一些问题。我在使用分散文件时遇到的问题之一是我的加载和执行地址不相同,导致链接器无法按预期工作(this link 中有很好的解释)。我将 .sct 文件修改为以下内容:
LR_IROM1 0x08000000 0x00060000 { ; load region size_region
ER_IROM1 0x08000000 0x00060000 { ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
.ANY (+RO)
.ANY (+XO)
}
RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000 { ; RW data
.ANY (+RW +ZI)
}
}
LR_IROM2 0x08060000 0x00020000 { ; load region size_region
USER_CONFIG 0x08060000 0x00020000 {
*(.user_data)
}
}
创建附加加载区域的这种实现将导致我的加载地址和异常地址相同。
然后,如果有人也来这里寻求帮助,这是我的闪烁代码:
__attribute__((section(".user_data"))) const char userConfig[64];
[...]
void Write_Flash(uint32_t data[], uint8_t flashTypeProgram)
{
uint8_t addressGap;
HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_7, VOLTAGE_RANGE_3);
int ii = 0;
for (ii = 0; ii < 64 / pow(2, flashTypeProgram); ii++)
{
addressGap = pow(2, flashTypeProgram) * ii;
HAL_FLASH_Program(flashTypeProgram, (uint32_t) &userConfig[0] + addressGap, data[ii]);
}
HAL_FLASH_Lock();
}
该程序允许我将数据存储在内部闪存中,即使在硬重启(断开所有电源然后重新连接到主板)后,这些数据仍会保留存储状态。
关于c - STM32F411VET6 将数据存储在 R/W 闪存中,我们在Stack Overflow上找到一个类似的问题: https://stackoverflow.com/questions/54789317/