目前正在为 atmel tiny45 微 Controller 编码，我使用了几个查找表。存放它们的最佳地点在哪里？您能大致了解一下 sram-flash-eeprom 之间的内存速度差异吗？
最佳答案
EEPROM 是迄今为止最慢的替代方案，写入访问时间约为 10 毫秒。读取访问与 FLASH 访问一样快，加上地址设置和触发的开销。因为 EEPROM 的地址寄存器没有自动递增，每个字节读取至少需要 4 条指令。
SRAM 访问是最快的(直接寄存器访问除外)。
FLASH 比 SRAM 慢一点，并且在每种情况下都需要间接寻址(Z 指针)，这可能需要也可能不需要 SRAM 访问，具体取决于表的结构和访问模式。
指令的执行时间见AVR Instruction Set ，尤其是 LPM 与 LDS、LD 和 LDD 指令。
关于memory - 速度比较eeprom-flash-sram，我们在Stack Overflow上找到一个类似的问题： https://stackoverflow.com/questions/14728968/